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onsemi EFC6601R-TR
| Artikelnummer: | EFC6601R-TR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH EFCP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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onsemi EFC6601R-TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments EFC6601R-TR.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id - Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse EFCP2718-6CE-020 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Leistung - max 2W Verpackung / Gehäuse 6-XFBGA, FCBGA Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain-Source-Spannung (Vdss) - Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer EFC6601 EFC6601R-TR Einzelheiten PDF [English] EFC6601R-TR PDF - EN.pdf -
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